TOPSwitchGX系列第四代单片开关电源的原理 河北科技大学 沙占友 任文霞 李春明(石家庄050054) TOPSwitchGX系列是美国PowerIntegrations公司继TOPSwitchFX之后,于2000年底新推出的第四代单片开关电源集成电路,并将作为主流产品加以推广。下面详细阐述TOPSwitchGX的性能特点、产品分类和工作原理。 1TOPSwitchGX的性能特点及产品分类 1.1性能特点 (1)该系列产品除具备TOPSwitchFX系列的全部优点之外,还将最大输出功率从75W扩展到250W,适合构成大、中功率的高效率、隔离式开关电源。 (2)采用TO2207C封装的TOP242~TOP249产品,新增加了线路检测端(L)和从外部设定极限电流端(X)这两个引脚,用来代替TOPSwitchFX的多功能端(M)的全部控制功能,使用更加灵活、方便。 (3)将开关频率提高到132kHz,这有助于减小高频变压器及整个开关电源的体积。 (4)当开关电源的负载很轻时,能自动将开关频率从132kHz降低到30kHz(半频模式下则由66kHz降至15kHz),可降低开关损耗,进一步提高电源效率。 (5)采用了被称作EcoSmart的节能新技术,显著降低了在远程通/断模式下芯片的功耗,当输入交流电压是230V时,芯片功耗仅为160mW。 1.2产品分类 根据封装形式和最大连续输出功率的不同,TOPSwitchGX系列可划分成三大类、共14种型号,详见表1。型号中的后缀P、G、Y分别表示DIP8B、SMD8B、TO2207C封装。 表1TOPSwitchGX的产品分类及最大连续输出功率POM
TOPSwitchGX的引脚排列如图1所示。其中,TO2207C封装有6个引出端,它们分别是控制端C,线路检测端L,极限电流设定端X,源极S,开关频率选择端F,漏极D。利用线路检测端(L)可实现四种功能:过压(OV)保护;欠压(UV)保护;电压前馈(当电网电压过低时用来降低最大占空比);远程通/断(ON/OFF)和同步。而利用极限电流设定端(X),可从外部设定芯片的极限电流。DIP8B和SMD8B封装仍保留多功能端M,并未设置开关频率选择端F,故等效于四端器件。其余引脚功能与TOPSwitchFX相同。
图1TOPSwitchGX的引脚排列(a)TO2207C封装(b)DIP8B和SMD8B封装
图2TOPSwitchGX的内部框图 3TOPSwitchGX的工作原理 采用Y封装的TOPSwitchGX系列产品,其内部框图如图2所示。电路主要由18部分组成: (1)控制电压源; (2)带隙基准电压源; (3)频率抖动振荡器; (4)并联调整器/误差放大器; (5)脉宽调制器(含PWM比较器和触发器); (6)过流保护电路; (7)门驱动级和输出级; (8)具有滞后特性的过热保护电路; (9)关断/自动重起动电路; (10)高压电流源; (11)软起动电路; (12)欠压比较器; (13)电流极限比较器; (14)线路比较器; (15)线路检测端和极限电流设定端的内部电路; (16)轻载时自动降低开关频率的电路; (17)停止逻辑; (18)开启电压为1V的电压比较器。 它与TOPSwitchFX的主要区别为:新增加了第(16)、(17)、(18)项单元电路;给电流极限调节器也增加了软起动输出端;将频率抖动振荡器产生的开关频率提升到132kHz(全频模式)或66kHz(半频模式);给频率抖动振荡器增加了一个“停止逻辑”(STOPLOGIC)电路,使之工作更为可靠。TOPSwitchGX的工作原理仍然是利用反馈电流IC来调节占空比D,达到稳压目的。举例说明,当输出电压VO降低时,经过光耦反馈电路使得IC减小,占空比则增大,输出电压随之升高,最终使VO维持不变。 TOPSwitchGX与TOPSwitchFX的性能比较,详见表2。下面重点阐述TOPSwitchGX新增功能电路的原理。 3.1轻载时自动降低开关频率的电路 对TOPSwitchGX而言,开关频率及占空比能随输出端负载的降低而自动减小。其减小量与控制端流入的电流成反比。当控制端电流逐渐增大时,占空比能线性地减少到10%,但是当负载很轻时,占空比可低于10%。与此同时,开关频率也减少到最小值,以提高开关电源在轻载下的效率。当开关频率的正常值(即典型值)为132kHz时,频率最小值为30kHz,在半频模式下开关频率正常值为132kHz/2=66kHz,此时频率最小值就降至15kHz。该特性能保证开关电源在轻载时,仍保持良好的调节功能,并且降低了电源的开关损耗。开关频率f和占空比D与控制端电流IC的关系如图3所示。
图3开关频率和占空比与控制端电流的关系曲线 (a)fIC关系曲线(b)DIC关系曲线
表2TOPSwitchGX与TOPSwitchFX的性能比较 进一步分析可知,开关损耗是由片内功率开关管MOSFET的电容损耗和开关交叠损耗这两部分构成的。这里讲的电容损耗亦称CV2f损耗,它是指储存在MOSFET输出电容和高频变压器分布电容上的电能,要在每个开关周期开始时被泄放掉而产生的损耗。交叠损耗则是由于MOSFET存在开关时间而产生的。在MOSFET的通/断过程中,有效的电压和电流同时加到MOSFET上的时间很短,而MOSFET的开关交叠时间较长,这势必造成功率损耗。单片开关电源内部加有很小的米勒(Miller)电容,使得MOSFET的开关速度更快,其交叠损耗仅为分立开关电源的1/10左右,可忽略不计。但是,由TOPSwitchGX构成的开关电源在额定输出功率下,MOSFET的电容损耗仍占总功耗的7%左右,这是不容忽视的问题。特别当开关电源的负载很轻时,电容损耗在总功耗中所占份额还会进一步增加。因此,轻载时令TOPSwitchGX处于低频开关状态,这对于降低MOSFET的电容损耗至关重要。 3.2内部极限电流与外部可编程极限电流 TOPSwitchGX的漏极极限电流,既可由内部设定,亦可从外部设定。这是它与TOPSwitchⅡ的另一显著区别。其内部自保护极限电流ILIMIT的最小值、典型值和最大值见表3,测试条件为芯片结温TJ=25℃。ILIMIT会随环境温度的升高而增大。TOPSwitchGX在每个开关周期内都要检测MOSFET漏源极导通电阻RDS(ON)上的漏极峰值电流ID(PK)。当ID(PK)>ILIMIT时,过流比较器就输出高电平,依次经过触发器、主控门和驱动级,将MOSFET关断,起到过流保护作用。将TOPSwitchGX与TOPSwitchⅡ进行比较后不难发现,TOPSwitchGX的极限电流容许偏差要小得多。例如TOP223P/Y的容差为1.00±0.1A,相对偏差达(±0.1/1.00)×100%=±10%。而TOP244P/G的容差为1.00±0.07A,相对偏差减小到(±0.07/1.00)×100%=±7%。这表明,用TOP244P/G代替TOP223P/Y来设计开关电源时,由于TOP244P/G不需要留出过多的极限电流余量并且它把最大占空比提高到78%(TOPSwitchⅡ仅为67%),因此在相同的输入功率/输出电压条件下,TOPSwitchGX要比同类TOPSwitchⅡ的输出功率高出10%~15%,并且还能降低外围元件的成本。 为方便用户使用,也可从外部通过改变极限电流设定端(X)的流出电流IX(用负值表示,单位是μA),来设定极限电流I′LIMIT值。I′LIMIT的设定范围是(30% ~100%)·ILIMIT。 表3内部自保护极限电流值
3.3远程通/断 TOPSwitchGX是通过改变线路检测端流入(或流出)电流IX的大小及方向,来控制开关电源通、断状态的。线路检测端内部还增加了开启电压为1V的电压比较器,此开启电压可用于远程通/断控制。对于P/G封装的芯片,把晶体管或光耦合器的输出接到多功能端(M)与源极(S)之间,就用正逻辑信号(高电平)起动开关电源,加低电平信号则关断;而接在多功能端与控制端(C)之间,就改用负逻辑信号(低电平)起动开关电源,加高电平则关断。对于Y封装的芯片,将晶体管或光耦的输出分别接极限电流设定端(X)、线路检测端(L),亦可对开关电源的通/断进行遥控。 |