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2-1 IGB与MOSFET
IGBT模块及其应用
功率模块IGBT、IPM、PIM的性能及使用时有关问题的综述
具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理
单晶扩散型LDMOS特性分析
功率MOSFET的辐射效应的研究
2-2 IGCT与IEGT
IGCT阻断特性模拟
IEGT—电力半导体器件家族中的新成员
5000V 逆导通型门极换向晶闸管
2-3晶闸管
热管结构的10kV晶闸管阀组件
质子辐照用于改善大功率快速晶闸管
光触发晶闸管与高压直流输电
晶闸管智能模块
2-4 碳化硅器件
碳化硅——未来功率器件材料
碳化硅功率器件
SiC肖特基二极管的特性研究
SiC MPS的分析设计和研制
2-5 其它电力半导体器件
二极管的反向恢复特性超快速
软恢复二极管新进展——扩散型双基区二极管
体特性高压硅器件的设计与制造
硅功率器件液相钝化的研究与试验
大功率超高速半导体开关RSD新结构及特性
半导体开关RSD开关特性测试平台的 设计与研究
2-6 智能化功率模块与功率集成电路
数字式智能电机控制模块
基于四象限斩波器的多用途智能化模块
新型直流电机软启动智能化模块
功率电子模块的构成及封装技术的发展
第二代Tinyswitch性能分析与应用
一种新的电流极限可调状态机电路
2-7 无源元件
介绍一种新型电容器——双电层电容器
电力电子技术中磁性元器件的新进展
2-8 驱动、保护与散热
HL402B可弥补EXB841及M57962AL缺陷的IGBT驱动器
控制与驱动电路的可靠性诊断
压敏电阻器技术的发展与应用
美国CDE电容模块在缓冲电路中的应用
限流、过电流保护在相控可控硅整流充电装置中的应用
用ANSYS软件包模拟功率半导体器件用散热器稳态热阻
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